崗位名稱

待遇保障

崗位申報(bào)條件

頂尖人才

科創(chuàng)中心為頂尖人才及其創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)提供充足科研資助和有競爭力的薪酬保障，采取“一人一議、一事一議”的方式。

中國科學(xué)院和工程院院士、發(fā)達(dá)國家院士、諾貝爾獎(jiǎng)獲得者、國際大獎(jiǎng)獲得者或相當(dāng)水平的海內(nèi)外頂尖學(xué)者。

攻堅(jiān)人才

（1）提供有競爭力的市場化薪酬，具體一人一議；

（2）符合條件者可享受科創(chuàng)中心人才房政策；

（3）提供500-1200萬科研資助；

（4）提供150m2+辦公、科研用房；

（5）提供“專人一站式”服務(wù)，共享科創(chuàng)中心大型儀器設(shè)備；

（6）符合條件者可享受杭州市、蕭山區(qū)相應(yīng)人才政策，協(xié)助申請人才配套用房；

（7）符合相關(guān)要求的，可申請浙江大學(xué)長聘教職崗位。

教育部“獎(jiǎng)勵(lì)計(jì)劃”獲得者、國家杰出青年科學(xué)基金獲得者或相當(dāng)水平的海內(nèi)外領(lǐng)軍學(xué)者。

青年人才-“科創(chuàng)百人計(jì)劃”（求是科創(chuàng)學(xué)者）

（1）提供有競爭力的市場化薪酬，具體一人一議；

（2）符合條件者可享受科創(chuàng)中心人才房政策；

（3）提供300萬+科研資助；

（4）提供良好的辦公環(huán)境和充足的研究空間；

（5）可兼聘至浙江大學(xué)相關(guān)院系，領(lǐng)域資深專家擔(dān)任職業(yè)導(dǎo)師；

（6）提供“專人一站式”服務(wù)，共享科創(chuàng)中心大型儀器設(shè)備；

（7）符合條件者可享受杭州市、蕭山區(qū)相應(yīng)人才政策，協(xié)助申請地方政府人才配套用房；

（8）符合相關(guān)要求的，可申請浙江大學(xué)長聘/預(yù)聘教職崗位。

在海內(nèi)外高水平大學(xué)或研究機(jī)構(gòu)獲得博士學(xué)位；具有國際高水平大學(xué)助理教授相當(dāng)學(xué)術(shù)水平，或海內(nèi)外龍頭企業(yè)總工程師、副總工程師、技術(shù)總監(jiān)等職位相當(dāng)水平；能獨(dú)立發(fā)展一個(gè)學(xué)術(shù)或工程技術(shù)方向，有潛力成長為學(xué)術(shù)或技術(shù)帶頭人；年齡一般在35周歲左右，特別優(yōu)秀者可適當(dāng)放寬；具有物理、材料、微電子、電氣工程、化學(xué)等方向堅(jiān)實(shí)的專業(yè)基礎(chǔ)和較深的學(xué)術(shù)造詣，對寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究領(lǐng)域有足夠的學(xué)科背景支持和較好的研究積累與想法，從事過交叉學(xué)科研究者優(yōu)先考慮；有寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域院士或國際知名專家推薦者優(yōu)先考慮。

青年人才-科創(chuàng)青年人才

（1）提供有競爭力的市場化薪酬，具體一人一議；

（2）符合條件者可享受科創(chuàng)中心人才房政策；

（3）提供50-100萬科研資助；

（4）提供良好的辦公環(huán)境和充足的研究空間；

（5）提供“專人一站式”服務(wù)，共享科創(chuàng)中心大型儀器設(shè)備；

（6）符合條件者可享受杭州市、蕭山區(qū)相應(yīng)人才政策，協(xié)助申請地方政府人才配套用房；

（7）符合相關(guān)要求的，可申請浙江大學(xué)長聘/預(yù)聘教職崗位。

在國內(nèi)外頂尖高校或知名研究機(jī)構(gòu)獲得博士學(xué)位；在相關(guān)領(lǐng)域具有良好的學(xué)科背景、研究積累以及創(chuàng)新研究思路，有堅(jiān)實(shí)的專業(yè)基礎(chǔ)和較深的學(xué)術(shù)造詣；具備作為獨(dú)立PI開展研究工作的能力；年齡一般不超過35周歲；具有物理、材料、微電子、電氣工程、化學(xué)等方向堅(jiān)實(shí)的專業(yè)基礎(chǔ)和較深的學(xué)術(shù)造詣，對寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究領(lǐng)域有足夠的學(xué)科背景支持和較好的研究積累與想法，從事過交叉學(xué)科研究者優(yōu)先考慮；原則上要求至少有一站博士后或兩年工作經(jīng)歷。

博士后研究人員

（1）根據(jù)科研工作能力提供具有競爭力的薪酬（含地方政府人才補(bǔ)助），具體面議（應(yīng)屆博士畢業(yè)生另可獲得杭州市應(yīng)屆生生活補(bǔ)貼10萬元）；

（2）對獲得中國博士后科學(xué)基金資助和省級博士后科研項(xiàng)目資助的，杭州市、蕭山區(qū)分別給予相應(yīng)配套資助；

（3）參與科創(chuàng)中心重大課題研究并取得顯著成績的，可獲得額外資助或津貼；

（4）提供一流的實(shí)驗(yàn)與科學(xué)研究條件；

（5）協(xié)助申請杭州市、蕭山區(qū)人才配套用房；

（6）工作期間表現(xiàn)優(yōu)秀、業(yè)績突出者，如符合相應(yīng)要求，可優(yōu)先推薦申請科創(chuàng)中心“求是科創(chuàng)學(xué)者”崗位或技術(shù)開發(fā)崗位；

（7）在站期間，符合條件者可申報(bào)科創(chuàng)中心相關(guān)系列高級專業(yè)技術(shù)職務(wù)；出站優(yōu)秀者入職科創(chuàng)中心的可認(rèn)定副研究員職稱，并可獲得地方政府80萬人才補(bǔ)貼；

近三年內(nèi)獲得博士學(xué)位，身心健康，年齡不超過35周歲；具有相關(guān)學(xué)科背景；有較強(qiáng)的團(tuán)隊(duì)合作意識和獨(dú)立科研工作能力；具備良好的英語聽說讀寫能力；能夠全職從事博士后工作，無博士后退站經(jīng)歷。

序號

全名

重點(diǎn)引進(jìn)方向

需求專業(yè)

1

半導(dǎo)體材料研究室（該研究室招聘頂尖人才、攻堅(jiān)人才、青年人才及博士后）

寬禁帶半導(dǎo)體材料（包括但不限于以下方向）：

碳化硅單晶的生長、碳化硅薄膜的外延、碳化硅中的雜質(zhì)和缺陷、碳化硅的電化學(xué)、碳化硅的表面及界面、碳化硅的新穎原型器件、氮化鎵薄膜的外延、半導(dǎo)體金剛石單晶薄膜的生長、氧化鎵單晶的生長、氧化鎵中的雜質(zhì)和缺陷、寬禁帶半導(dǎo)體材料與二維材料的前沿交叉、寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備和加工設(shè)備。

物理、材料、微電子、電氣工程、化學(xué)等相關(guān)專業(yè)

2

功率芯片研究室（該研究室招聘頂尖人才、攻堅(jiān)人才、青年人才及博士后）

寬禁帶半導(dǎo)體器件（包括但不限于以下方向）：

碳化硅功率器件、氮化鎵功率器件、氧化鎵功率器件、其他寬禁帶功率器件、單芯片集成技術(shù)、多芯片集成技術(shù)、芯片散熱技術(shù)、能量收集技術(shù)、寬禁帶傳感技術(shù)芯片、其他寬禁帶技術(shù)等。

物理、材料、微電子、電氣工程、化學(xué)等相關(guān)專業(yè)

3

封裝測試研究室（該研究室招聘頂尖人才、攻堅(jiān)人才、青年人才及博士后）

封裝測試和應(yīng)用（包括但不限于以下方向）：

功率器件的封裝、其他相關(guān)器件的封裝、模塊集成測試技術(shù)和電力電子裝置的開發(fā)。

物理、材料、電氣工程、微電子等相關(guān)專業(yè)

4

射頻芯片研究室（該研究室招聘頂尖人才、攻堅(jiān)人才）

射頻芯片（包括但不限于以下方向）：

氮化鎵射頻器件、氧化鎵射頻器件、金剛石射頻器件、射頻芯片設(shè)計(jì)開發(fā)（如功率放大器、低噪聲放大器、開關(guān)、混頻器、微波控制芯片、頻率變換芯片、微波多功能芯片等）。

微電子、電磁場與微波、電子工程、半導(dǎo)體器件與工藝、凝聚態(tài)物理、信息處理技術(shù)、軟件開發(fā)與計(jì)算機(jī)應(yīng)用技術(shù)、自動控制與系統(tǒng)工程、傳感器與執(zhí)行器技術(shù)等相關(guān)專業(yè)

5

MEMS實(shí)驗(yàn)室（該實(shí)驗(yàn)室招聘攻堅(jiān)人才）

MEMS（包括但不限于以下方向）：

薄膜體聲波諧振器（FBAR）技術(shù)、聲表面波（SAW）技術(shù)、射頻有源無源異質(zhì)異構(gòu)單片集成技術(shù)、5G/6G射頻濾波器開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化等。

電子科學(xué)與技術(shù)、微電子、物理、材料、通信等相關(guān)專業(yè)